为促进学术交流，提升我院研究生的科研能力，加快我院科研水平的发展，营造良好的学术氛围，5月11日上午，我院荣幸地邀请了来自广西大学物理科学与工程技术学院杰出教授冯哲川教授为学院师生作了题为“探索光电半导体和氧化物材料与微纳结构暨器件的奥秘”的学术报告，和全院师生一起探讨交流了第三代宽禁带半导体/氧化物及相关材料与微纳结构暨器件的物理研究以及相关光电子技术和在深紫外日盲区光电子探测器方面的应用研究的进展和前景。学术报告会由我院分管科研工作的何云斌副院长主持。

   冯哲川杰出教授向我们介绍了他的研究团队目前的主要工作是在半导体物理与光电技术领域,着重于研究第三代宽禁带半导体/氧化物及相关材料与微纳结构暨器件的物理研究以及相关光电子技术，外延生长及光电子学特性、LEDs、基于宽禁带半导体材料的光电转换器件的构造及性能调控，尤其是在深紫外日盲区光电子探测器方面的应用。并且向我们展示了教授团队的先进工作，课题组已产出多项有意义的初步成果, 近3年已发表~30篇SCI论文,特别是在深紫外光电子材料、氧化物半导体与微纳结构领域的研究,其中包括各种氧化物如ZnO及合金, HfO₂, VO₂, TiO₂, SnO₂, Ga₂O₃, PbTiO₃, PbLaTiO₃等。着重于应用椭偏、拉曼、光致荧光、时间分辨光致荧光技术,并结合同步辐射X-光吸收、卢瑟福背散射、X-光电子能谱技术、计算机理论仿真等深入研究这些材料与微纳结构，以及一些未解决的或令人困惑的物理现象。报告期间，大家都在认真地聆听、记笔记，沉浸在学术的海洋里。报告结束后老师，同学们纷纷向冯哲川杰出教授提问，请教宽禁带半导体材料的光电转换器件的构造及性能调控研究中的相关问题，冯教授都耐心细致地为大家一一解答。

        冯哲川教授, 分别于1968/1981获得北京大学学士/硕士, 1987获美国匹兹堡大学博士, 1988-2003工作于美国Emory大学、新加坡国立大学、美国EMCORE公司、新加坡材料工程研究院、乔治亚理工学院; 2003.8-2015.1在台湾大学任教授。 2015年2月自台湾大学光电所暨电机系退休，即受聘于广西大学物理科学与工程技术学院，任杰出教授。建立并领导光电子材料与探测技术实验室(依托广西相对论天体物理重点实验室)。至今他编辑出版了高效能复合半导体及显微结构、多孔硅、三族氮化物半导体及器件、氧化锌、固态照明/LED及三族氮化物和纳米工程领域英文专著11本，Google Scholar Citations收录其已发表的450多篇学术论文，共引用近5000次， h-指数：36。从事化合物和宽能隙半导体研究30多年，在国际宽能隙半导体研究领域有重要贡献和影响。其许多宽能隙及化合物半导体论文被广泛引用，10多篇论文单篇他引超过100次。2013荣膺SPIE会士。他受邀担任四川大学、南京工业大学、华南师范大学、华中科技大学、南开大学、天津师范大学的访问客座教授。