10月29日上午，实验室荣幸地邀请到了来自中国科学院长春光学精密机械与物理研究所的申德振研究员来我院作了题为“宽带氧化物半导体光电特性研究”的报告，为全院师生讲解有关ZnO半导体的最新研究进展。学术报告会由我院分管科研工作的何云斌副院长主持。

报告中，申老师利用图片向大家生动形象地展示了一些关于GaN宽禁带半导体在发光二极管上的应用实例，介绍了GaN高效的发光与激光特性。并且结合了自身在ZnO基半导体上从事的多年研究经历，总结了ZnO相对于GaN所具有的一些优良特性，例如缺陷密度低，激子结合能大，深紫外增益高以及抗辐射能力强等。报告期间，大家都在认真地聆听，记笔记，沉浸在学术的海洋里。报告结束后老师，同学们纷纷向申老师提问，请教ZnO研究领域的相关问题，申老师也都耐心细致地为大家一一解答，并且在基金申报等方面也为我院老师提供了一些很好的建议，最后申老师与我院师生合影留念。

申德振研究员1983年毕业于中国科学技术大学物理系发光与光谱专业。1993年7月在长春物理所获理学博士学位。1994年被中科院破格晋升为研究员。1996年评为博士生导师。长期以来，一直从事宽带II－VI族半导体的光电子器件及物理特性研究。近年来，主要从事ZnO基材料制备、掺杂和光电器件研究。率领的课题组针对氧化锌p型掺杂这一国际性的难题，提出了锂氮双受主复合掺杂的思想，并在国际上首次实现了蓝宝石上ZnO同质结LED，相关结果在国际上发表后,被国际同行评论为“锂氮共掺杂制备p型氧化锌方面在实验上巨大的进展”、《Nature China》杂志和《Photonics Spectra》杂志对此工作做了专门评述。多年来，在国外发表学术论文433余篇，被国际同行SCI它引9000余篇次，H因子47。作为课题负责人主持完成国家“973计划”项目“Ⅱ族氧化物半导体光电子器件的基础研究”等多项国家级项目。申德振研究员是国家“973计划”项目首席科学家，现任发光学及应用国家重点实验室主任、中国物理学会发光分会理事长、国家自然科学基金委信息学部和数理学部常聘会评专家、《发光学报》主编。