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华中科技大学翟天佑教授莅临实验室访问讲学
发布时间:2019-11-08     阅读次数:

应实验室邀请,华中科技大学翟天佑教授莅临实验室访问讲学。2019年11月7日下午,翟天佑教授在材料学院报告厅作了题为“金属硫属二维材料的气相控制合成与光探测性能”的学术报告,报告由何云斌副院长主持。

金属硫族二维材料具有独特的结构、丰富的种类、优异的物理化学性质,以及能够满足光电器件集成化、柔性化、高性能以及低功耗的发展目标,已经成为国际前沿科学研究的焦点。本报告总结了金属硫属二维材料稳定、可控且高质量的制备方法,同时介绍了该材料在光电信息功能器件领域的实际应用,包括如何发展近稳态供源和限域空间生长方法,实现若干高质量金属硫属二维材料(SnSe2,ReSe2等)及其异质结的气相沉积生长的可控制备,通过缺陷抑制和能带调控,实现了金属硫属二维材料光探测性能的显著提升。

据悉,翟天佑教授现为华中科技大学二级教授,材料成形与模具技术国家重点实验室副主任,曾获国家自然科学二等奖,中国化学会青年化学奖和湖北青年五四奖章。主要从事新型二维材料与光电器件方面的研究,以第一或通讯作者身份在Chem.  Soc. Rev. (3), Prog. Mater. Sci. (2), Adv.Mater.(21),Angew. Chem. Int. Ed. (3),  JACS (2), Nat. Commun. (3), Adv. Funct. Mater. (27), ACS Nano (6)等期刊上发表论文170余篇(96篇IF>10),所有论文SCI期刊引用13500余次,H因子61。主持编纂英文专著1本,受邀撰写两本专著中的5章;申请中国和日本专利18项,授权8项;先后担任《Science  Bulletin》、《Frontiers  in Chemistry》和《InfoMat》副主编,《科学通报》、《无机材料学报》、《无机化学学报》编委。担任中国化学会青年化学工作委员会委员,中国材料研究学会青年委员会理事和纳米材料与器件分会理事,中国电子学会半导体科技青年专委会委员等。

 

 

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