1月9日下午，实验室荣幸地邀请到了来自加州大学伯克利分校的陈祖煌博士在材料学院二楼为我院师生作了题为“Strain Control and Size Scaling Effect in Multiferroic BiFeO₃ Thin Films-Towards Low-Power Nanoelectronics and Spintronics”的报告。学术报告由我院分管研究生工作的施德安副院长主持。

报告伊始，陈祖煌博士从多铁材料和微电子的广泛应用领域和情景激起了大家的浓厚兴趣。随后，陈祖煌博士从畴工程和应力调控BiFeO₃的反铁磁性等方面展示近些年来自己的研究工作。汇报结束后，老师和同学们纷纷积极提问。对大家谈到的表征手段和BiFeO₃薄膜生长中存在的困难和问题，陈博士都认真地给出合理的回答。汇报最后在大家的阵阵掌声中结束。

陈祖煌博士，2006年本科毕业于厦门大学材料系，2008年毕业于浙江大学材料系，2012年于新加坡南洋理工大学材料科学余工程系获得博士学位。2013年起先后在美国伊利诺伊大学香槟分校（UIUC）材料系、加州大学伯克利分校材料系和劳伦斯伯克利国家实验室材料部从事博士后研究，合作导师为R.Ramesh院士和Lane Martin教授。近十年来一直从事铁电和多铁等复杂功能氧化物薄膜、异质结和纳米结构的生长，及其多场下铁电、压电、光电和磁电等性能调控及相关物理机理的研究，并致力于其在低功耗非挥发性存储器等电子元器件的应用。目前已经在Phys. Rev. Lett, PANS, ACS Nano, Adv. Mater., Nano letters., Adv. Funct. Mater,等国际期刊下发表论文49篇。对于铁性外延薄膜的晶格对称性，铁性材料畴工程的控制和畴壁功能性，铁电薄膜面内极化的反转控制和测量，氧化物自组装纳米结构制备及其在超材料的应用等方面的研究做出了原创性贡献。被发表在Nature, Nature Nano., Nature Mater., Nature Phys., Rev. Mod. Phys.和Nature Rev. Mater.,等多种国际期刊引用>1000次，H因子18。此外受邀为Nano Lett., Adv. Mater.等十多种国际期刊审稿，并担任斯坦福同步辐射光源 (SLAC) User Proposal评审人。